一般セッション(口頭講演)

[29a-A3-1~7] 16.2 プロセス技術・デバイス

2013年3月29日(金) 10:15 〜 12:00 A3 (K1号館 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-A3-1] II型Geクラスレートのエピタキシャル薄膜 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○野口明宏，服部真嗣，杉山智哉，岩井義樹，小倉拓也，大橋史隆，伴隆幸，久米徹二，野々村修一 (岐阜大)

[29a-A3-2] NaドープII型Siクラスレートの低温電子スピン共鳴 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○砂場昭吾，後藤康兵，姫野呂人，小倉拓也，大橋史隆，久米徹二，伴隆幸，山家光男，野々村修一 (岐阜大)

[29a-A3-3] Ge:Sb/a-Si ポテンシャル障壁構造での赤外センサ用電気特性 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

五十川貴之，^○中村優平，山田雄太，木下潤一，古川昭雄 (東理大理工)

[29a-A3-4] 極薄Si層を挿入したGe膜の赤外線ボロメータ用薄膜材料の検討 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

木下潤一，竹内諒，中村優平，^○古川昭雄 (東理大院理工)

[29a-A3-5] 近赤外半導体レーザ光照射による中空構造a-Si膜の局所転写同時結晶化 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○酒池耕平，小林義崇，中村将吾，林将平，赤澤宗樹，森崎誠司，東清一郎 (広大院先端研)

[29a-A3-6] △酸化物薄膜トランジスタの自己発熱効果における熱劣化解析 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○浦川哲¹，笘井重和²，上岡義弘¹，山﨑はるか¹，笠見雅司²，矢野公規²，Wang Dapeng³，古田守³，堀田昌宏^1,4，石河泰明^1,4，浦岡行治^1,4 (奈良先端大¹，出光興産²，高知工科大³，CREST⁴)

[29a-A3-7] アモルファス酸化物薄膜トランジスタにおける発熱シミュレーション (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○浦川哲¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[29p-A3-1~6] 16.2 プロセス技術・デバイス

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:00 A3 (K1号館 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-A3-0] 昼食(90分)

[29p-A3-1] 絶縁基板上に形成したa-Ge/Sn積層構造におけるGeの極低温成長 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○大跡明¹，鈴木恒晴¹，朴ジョンヒョク^1,2，宮尾正信¹，佐道泰造¹ (九大・院システム情報¹，学振特別研究員²)

[29p-A3-2] 固相成長により結晶Si上に成長させた結晶Ge薄膜における非晶質前駆体の影響（2） (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○小島祐二¹，金井みくり²，山口智明²，磯村雅夫¹ (東海大工¹，東海大院工²)

[29p-A3-3] フラッシュランプアニールによるa-Ge膜の結晶化 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○大平圭介^1,2，松村英樹¹ (北陸先端大¹，JSTさきがけ²)

[29p-A3-4] 溶液プロセスa-Si:H膜の膜厚方向の特性分布 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（M1）佐久間陽¹，大平圭介^1,2，増田貴史^1,3，申仲栄^1,2，高岸秀行^1,2，Lam Pham^1,2，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ALCA²，JST-ERATO³)

[29p-A3-5] スリットコート法を用いたa-Si:H薄膜の作製 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○高岸秀行^1,3，松木安生^2,4，増田貴史^1,4，申仲栄^1,3，Lam Pham Tien^1,3，大平圭介^1,3，下田達也^1,3,4 (北陸先端大¹，JSR²，JST ALCA³，JST ERATO⁴)

[29p-A3-6] 低欠陥密度膜実現に向けたアモルファスSiO:H製膜プロセスの制御 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○傍島靖^1,2，柿本真之介¹，奥本凌二¹，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2 (阪大院基礎工¹，JST-CREST²)

一般セッション(ポスター講演)

[29p-PA8-1~1] 16.2 プロセス技術・デバイス

2013年3月29日(金) 16:00 〜 18:00 PA8 (第一体育館)

ポスター掲示時間16:00〜18:00(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-PA8-1] 金属誘起固相成長を応用した薄膜多結晶太陽電池形成技術の研究 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○竹内正芳¹，近藤道雄^1,2 (東工大¹，産総研²)

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