[27a-G20-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27a-G20-3] Ge_1-xSn_xヘテロエピタキシャル成長に与える基板面方位効果 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○黒澤昌志^1,2，木戸脇翔平¹，浅野孝典¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

キーワード：GeSn、germanium tin、epitaxial growth