[27a-G20-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27a-G20-7] △圧縮歪Ge_1-xSn_xエピタキシャル層の電気伝導特性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○浅野孝典¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振特別研究員 (PD)²)

キーワード：GeSn、エピタキシャル成長