[27a-G20-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27a-G20-9] △横方向液相成長により作製したGOIバックゲートトランジスタのキャリア移動度評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○西川弘晃，鈴木雄一郎，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

キーワード：Ge on insulator、Liquid phase epitaxy、バックゲートトランジスタ