[27a-PB2-1~24] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27a-PB2-2] △インピーダンス特性から見たCB-RAM の抵抗変化機構 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○吉原正人¹，木下健太郎^1,2，由良翔¹，岸田悟^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：CB-RAM、インピーダンス測定、HfO2