[27p-A3-1~17] 8.4 プラズマエッチング

[27p-A3-8] AlGaNのプラズマエッチング機構に関する研究 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）曹佳棟，米谷亮佑，盧翌，朴鐘胤，竹田圭吾，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大院工)

キーワード：窒化物半導体、エッチング、表面分析