[27p-B9-1~17] 9.4 熱電変換

[27p-B9-12] △Si系熱電材料におけるエピタキシャルナノドット散乱体の形成とその熱伝導率評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ‐JST²)

キーワード：Nanodots、epitaxial、SiGe