2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

06.薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[27p-F2-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年3月27日(水) 13:30 〜 17:30 F2 (E3号館 3F-303)

[27p-F2-5] △フィラメント動作型抵抗変化メモリにおけるリセットパラメータ抽出に伴う問題点 (2:30 PM ~ 2:45 PM)

森山拓洋1,木下健太郎1,2,小石遼介1,鶴田茂之1,岸田悟1,2 (鳥取大工1,TEDREC2)

キーワード:ReRAM、CB-RAM、リセット