[27p-G20-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27p-G20-3] Al誘起成長法によるSi/Al/ガラス構造の低温形成と結晶方位制御 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院　電・物専攻¹，東北大　金研²，JST-CREST³)

キーワード：Si、Al誘起成長、方位制御