[27p-G20-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[27p-G20-4] 単結晶ｼｰﾃﾞｨﾝｸﾞ基板を用いたa-GeのNi触媒成長 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○朴ジョンヒョク^1,2，大跡明¹，鈴木恒晴¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹ (九大・院システム情報¹，学振特別研究員²)

キーワード：Ge、触媒成長