[27p-G22-1~10] SiCパワーエレクトロニクス技術の最前線　-広範な実用化を展望し、残された課題を探る-

[27p-G22-5] 高性能JFETの開発（30分） (2:45 PM ～ 3:15 PM)

^○横山夏樹，清水悠佳，秋山悟 (日立中研)

キーワード：SiC、JFET