[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

[27p-G4-10] △プラズマアシスト原子層堆積法によるGaN MISゲート絶縁膜用Al₂O₃の絶縁特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○吉嗣晃治¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，ＣＲＥＳＴ²)

キーワード：原子層堆積法、GaN MIS capacitor、high-kゲート絶縁膜