[27p-PB4-1~16] 13.5 Siプロセス技術

[27p-PB4-5] 超小型Ge受光器実現に向けたエピタキシャル成長プロセス検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○三浦真^1,2，藤方潤一^1,2，野口将高^1,2，堀川剛^1,3，荒川泰彦^1,4 (ＰＥＣＳＴ¹，ＰＥＴＲＡ²，産総研³，東大生研⁴)

キーワード：ゲルマニウム、受光器、エピタキシャル成長