[27p-PB5-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[27p-PB5-4] 極薄膜In_xGa_1-xAs-OI MOSFETの電子移動度に与える膜厚揺らぎ散乱の影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○金相賢^1,2，横山正文¹，田岡紀之¹，中根了昌¹，長田剛規³，市川磨³，福原昇³，秦雅彦³，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，日本学術振興会特別研究員²，住友化学³)

キーワード：InGaAs-OI MOSFET