[28a-G11-1~9] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28a-G11-3] ドライエッチングがAlGaN/GaN MOS構造の界面に与える影響 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○谷田部然治¹，堀祐臣¹，馬万程¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター 情報科学研究科¹，JST-CREST²)

キーワード：AlGaN/GaN、界面準位密度、ドライエッチング