[28a-G19-1~11] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28a-G19-11] VドープZnO薄膜の成膜温度とアニールによる膜質変化に関する検討 (12:45 PM ～ 1:00 PM)

^○森達哉，松尾拓哉，奥田修平，千葉博，鷲尾勝由 (東北大工)

キーワード：酸化亜鉛、V、anneal