[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[28a-G2-5] Si(100)基板表面極近傍の酸化誘起残留歪の光電子分光による検出 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○諏訪智之¹，寺本章伸¹，大見忠弘¹，室隆桂之²，木下豊彦²，永田晃基³，小椋厚志³，服部健雄¹ (東北大¹，JASRI²，明大理工³)

キーワード：シリコン、歪、光電子分光