2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[28a-G2-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 10:00 〜 13:15 G2 (B5号館 1F-2102)

[28a-G2-7] △cubic相HfO2薄膜の室温における安定化機構の検討 (11:45 AM ~ 12:00 AM)

岩井貴雅,矢嶋赳彬,西村知紀,長汐晃輔,鳥海明 (東大院工)

キーワード:HfO2、High-k、相変態