[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-1] △Naフラックス法によるポイントシード上バルクGaN単結晶成長 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○今出完，村上航介，松尾大輔，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，北本啓，丸山美帆子，吉村政志，森勇介 (阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス法