[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-4] △流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性の改善 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

キーワード：GaN、HVPE、Substrate