[28a-G21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28a-G21-6] サファイア加工基板上半極性面GaNのTEMによる評価 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○稲垣卓志，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大院理工)

キーワード：GaN、TEM