[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-1] BiCS型三次元積層NANDフラッシュメモリにおけるゲート長、ゲート間隔及び積層数の設計方針 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○宮地幸祐¹，柳原裕貴²，竹内健¹ (中大¹，東大²)

キーワード：NANDフラッシュメモリ、三次元、BiCS