[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-11] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるサブスレッショルド係数ばらつきの統計的解析 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○水谷朋子¹，山本芳樹²，槇山秀樹²，篠原博文²，岩松俊明²，尾田秀一²，杉井信之²，平本俊郎¹ (東大生研¹，LEAP²)

キーワード：SOI MOSFET、ばらつき、サブスレッショルド係数