[28a-G9-1~11] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28a-G9-4] 20nm世代TLC(3bit/cell) NANDフラッシュメモリの信頼性評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○山根佳彦¹，蜂谷尚悟¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

キーワード：NANDフラッシュメモリ、TLC、信頼性評価