[28p-B9-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[28p-B9-3] △SiN/AlGaAs/GaAsナノワイヤFETのしきい値制御 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○黒田亮太^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報科学研究科¹，量集センター²)

キーワード：AlGaAs/GaAsナノワイヤ、SiN、しきい値