[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-1] 高誘電率パシベーション膜を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧向上の解析 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○塙秀之，中島敦，堀尾和重 (芝浦工大システム工)

キーワード：GaN、HEMT、耐圧