[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-10] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤聡^1,2，笠松章史¹，三村高志^1,2 (情報通信研究機構¹，富士通研²)

キーワード：InAlN、HEMT、MIS