[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-11] △トレンチ型SiC MOSFETにおけるゲート絶縁膜への窒化の効果 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○有吉恵子^1,2，原田信介^1,3，先崎純寿^1,3，小島貴仁^1,4，児島一聡^1,3，田中保宜^1,3，四戸孝^1,2 (FUPET¹，東芝²，産業技術総合研究所³，富士電機⁴)

キーワード：SiC、MOSFET