[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-14] Snイオン注入を用いたβ-Ga₂O₃へのオーミックコンタクト形成 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○佐々木公平^1,2，東脇正高^2,3，倉又朗人¹，増井建和⁴，山腰茂伸¹ (タムラ製作所¹，情通機構²，JSTさきがけ³，光波⁴)

キーワード：Ga2O3、酸化ガリウム、酸化ガリウム