[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-3] リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN Open-Gate HFETの高温特性 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○前田就彦¹，廣木正伸²，佐々木智²，原田裕一² (NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研²)

キーワード：半導体、transistor、トランジスタ