[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-4] 窒素イオン注入によるp-GaN基板上MISFETの素子分離と特性評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○葛西駿¹，小川弘貴¹，葛西武²，中村徹¹ (法政大¹，ケミトロニクス²)

キーワード：GaN