[28p-G11-1~18] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[28p-G11-5] 金属ゲートイオン注入GaN MISFETに関する研究 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○（M1C）小川弘貴¹，葛西駿¹，葛西武²，中村徹¹ (法政大¹，ケミトロニクス²)

キーワード：GaN MISFET