[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-17] バイアス電圧印加PLD法により作製したn-ZnO/p-Siヘテロ接合の発光特性 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○瀬野祐樹，小宮山崇夫，長南安紀，山口博之，青山隆 (秋田県立大)

キーワード：ZnO、PLD法、エレクトロルミネッセンス