[28p-G19-1~17] 21.1 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[28p-G19-6] スパッタ法によるC面サファイア基板上への原子平坦ZnO薄膜の作製 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○板垣奈穂^1,2，桑原和成¹，山下大輔¹，徐鉉雄¹，鎌滝晋礼³，内田儀一郎¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，JSTさきがけ²，九大基幹教育院³)

キーワード：酸化亜鉛、エピタキシャル成長、スパッタリング