2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術

[28p-G2-1~16] 13.3 絶縁膜技術

2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)

[28p-G2-3] 球面収差補正(Cs-corrected)STEM-EELSによる金属電極/GeO2絶縁膜界面反応の解析 (3:00 PM ~ 3:15 PM)

小川慎吾1, 2,秀島伊織2,箕浦佑也2,木村耕輔1,川崎直彦1,安居麻美1,宮田洋明1,山元隆志1,細井卓治2,志村考功2,渡部平司2 (TRC1,阪大院工2)

キーワード:GeO2、STEM