[28p-G2-5] Post Metallization Annealingを用いたGeO2絶縁膜改質による水溶性変化 (3:30 PM ~ 3:45 PM)
キーワード:GeO2、Water Solubility、Post Metalization Annealing
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.3 絶縁膜技術
2013年3月28日(木) 14:30 〜 18:45 G2 (B5号館 1F-2102)
キーワード:GeO2、Water Solubility、Post Metalization Annealing