[28p-G20-1~16] 半導体量子ドット成長技術・物性評価の最前線

[28p-G20-9] GaAsナノディスクのAlGaAs/GaAs MOVPE埋め込み再成長 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○肥後昭男¹，田村洋典^2,6，Mohd Erman Fauzi^2,6，Cédric Thomas^2,6，五十嵐誠^2,6，胡衛国^2,6，木場隆之^3,6，村山明宏^3,6，王云鵬⁴，杉山正和⁵，中野義昭⁴，寒川誠二^1,2,6 (東北大WPI-AIMR¹，東北大流体研²，北大情報科学³，東大先端研⁴，東大工⁵，JST-CREST⁶)

キーワード：光デバイス、III-V族化合物半導体、GaAs