[28p-G22-1~19] 15.6 IV族系化合物

[28p-G22-2] ▼Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal SiO₂/SiC interface property (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○（D）Atthawut Chanthaphan¹，箕谷周平²，中野佑紀²，中村孝²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，ローム²)

キーワード：SiC、MOS、mobile ion