[28p-G5-15] Si/CaF2 サブバンド間遷移レーザ構造からの室温近赤外(λ〜1.5μm)EL 発光 (5:45 PM ～ 6:00 PM)
キーワード：半導体、QCL、Si
講演情報
一般セッション(口頭講演)
14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス
[28p-G5-1~15] 14.4 光物性・発光デバイス
2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:00 G5 (B5号館 1F-2105)
一般セッション(口頭講演)
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2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:00 G5 (B5号館 1F-2105)
キーワード：半導体、QCL、Si