2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.5 Siプロセス技術

[28p-G6-1~17] 13.5 Siプロセス技術

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:30 G6 (B5号館 1F-2106)

[28p-G6-4] プラズマCVDによるSi上のSiO2成膜における表面処理効果 (2:45 PM ~ 3:00 PM)

川嶋智仁,片岡淳司,薮原秀彦 (東芝生産技術センター)

キーワード:プラズマCVD