[28p-G8-1~14] 13.2 半導体表面

[28p-G8-8] イオン注入とアニールによるSi表面金属汚染の侵入挙動(3) (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○上野恵二¹，嵯峨幸一郎²，小林駿介³，末岡浩治³ (ソニーセミコンダクタ¹，ソニー²，岡山県立大³)

キーワード：半導体、金属汚染