[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-16] 熱配慮設計によるFinFETアナログ特性の最適化 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（D）高橋綱己^1,2，別府伸耕^1,2，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大電物¹，慶大電子工²，東工大量子ナノエレ研セ³)

キーワード：FinFET、自己加熱効果、アナログ特性