[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-17] △歪みによる電子移動度向上へMOS界面における変形ポテンシャル上昇が与える影響 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○大橋輝之^1,2，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工 電子物理¹，慶應大 電子工²，東工大 量子ナノ研セ³)

キーワード：ナノ、歪み、シリコン