[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-8] 数nm-CMOS 素子用2 次元Si 層の検討（I）：フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久 (神奈川大理)

キーワード：CMOS