[28p-G9-1~18] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[28p-G9-9] 数nm-CMOS 素子用2 次元Si 層の検討（II）：バンド構造の変調効果 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○永田祐介¹，中原雄太¹，青木孝¹，鮫島俊之²，水野智久¹ (神奈川大理¹，東京農工大工²)

キーワード：半導体