[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-23] サファイア基板上GaN薄膜のMOVPE成長挙動の格子極性依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）吉野川伸雄¹，岩渕拓也¹，正直花奈子¹，木村健司^1,2，谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²)

キーワード：GaN、第二高調波発生、有機金属気相成長法