PDF ダウンロード スケジュール 3 いいね! 0 [28p-PA1-27] 立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長 (1:30 PM ~ 3:30 PM) ○角田雅弘1,森川生1,窪谷茂幸1,片山竜二2,矢口裕之3,尾鍋研太郎1 (東大新領域1,東北大金研2,埼玉大理工3) キーワード:窒化物半導体