[28p-PA1-1~34] 15.4 III-V族窒化物結晶

[28p-PA1-6] RF-MBE成長InGaN混晶のB₁(high)モードによる成長温度最適化の検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

坂川祐輝，^○兒玉賢治，廣長大造，橋本明弘 (福大工)

キーワード：InGaN、Raman、MBE