[28p-PA2-1~4] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[28p-PA2-4] ガスソースMBE 法によるシリコン・炭素混晶の結晶成長と欠陥形成過程の解明 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○古川洋志¹，酒井翔一朗¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，星裕介²，宇佐美徳隆² (山梨大クリスタル研¹，東北大金研²)

キーワード：半導体、Si1-xCx、圧縮歪みSi