[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-2] Si基板上InGaAs-MOSFETの微細化に関する研究 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○加藤淳，米内義晴，金澤徹，宮本恭幸 (東工大院理工)

キーワード：MOSFET、InGaAs