2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[29a-G11-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 G11 (B5号館 2F-2205)

[29a-G11-2] Si基板上InGaAs-MOSFETの微細化に関する研究 (9:45 AM ~ 10:00 AM)

加藤淳,米内義晴,金澤徹,宮本恭幸 (東工大院理工)

キーワード:MOSFET、InGaAs